Altum RF 推出三款紧凑型 MMIC 放大器

高性能 RF 到毫米波半导体解决方案的供应商 Altum RF 宣布推出三款新的 GaAs pHEMT MMIC 放大器，针对 Q、V 和 E 波段的应用。

这些紧凑型芯片放大器采用 WIN Semiconductors 的下一代 PP10-20 GaAs pHEMT 技术，实现了高增益和低噪声，同时通过使用单栅极和单漏极电源简化了工程师的设计。这些放大器的亮点包括：

这些器件是： ARF1208 低噪声放大器 – 37-59 GHz，2.5 dB 噪声系数和 50 GHz 时 26.5 dB 线性增益； ARF1207 线性放大器 – 57-71 GHz，25 dB 增益和 22 dBm P1dB 输出功率；和 ARF1206 低噪声放大器 – 71-86 GHz，22 dB 增益和 4 dB 噪声系数。

WIN 的 PP10-20 技术建立在经过验证且成熟的 PP10-10 平台之上，并针对高达 170 GHz 的应用。作为一个关键的差异化因素，PP10-20 允许大幅增加增益，而电源应用的工作电压相同。

“基于我们在 WIN 久经考验的 0.1 μm 技术方面的经验以及对建模、设计和仿真工作流程的认真关注，我们在新发布的 PP10-20 工艺中使用一系列毫米波产品取得了首次成功，”Greg 说贝克，Altum RF 首席执行官。 “我们对这一成功感到高兴，这支持了我们为毫米波应用开发领先组件的战略，我们期待建立更广泛的产品组合，以满足当今和未来的市场需求。”

WIN Semiconductors 技术和战略业务发展高级副总裁 David Danzilio 补充说：“我们很高兴与 Altum RF 合作，利用 WIN 的高性能平台将领先的毫米波产品商业化。这种下一代 PP10-20 技术建立在成熟的 PP10-10 平台之上，该平台用于当今部署在无线回程中的许多 E 波段功率放大器。 PP10-20 是一种通用技术，可实现广泛的毫米波前端功能，并支持 D 波段的放大器性能。 Altum RF 取得的首次成功证实了 PP10-20 平台的可重复性和生产就绪性。”