CMOS管的动态功耗2：负载功耗

所谓Cl负载功耗，是前一级的CMOS管作为下一级的电压信号源输出时，由于下一级CMOS管G—B间的绝缘层SiO2而形成的等效电容间的充放电过程，电流的功耗。

负载功耗的过程如上图所示。

计算如下图所示：

这样，我们知道，COMS管的总功耗实际上主要由动态功耗决定的。而动态功耗主要由3个参数决定：

1、Cp和Cl；该参数由工艺决定，一旦器件成型，数据已确定。

2、f：该参数由器件工作频率决定

3、VDD：该参数由器件的逻辑电压源决定。

现在器件，一般采用提高频率f，降低VDD来提高速度并保持低功耗的性能；但是降低VDD有一个重大的拦路虎：数字电路的立身根本—允许信号的偏差，即输入信号的噪声容限的宽度会缩小，导致输出信号的可靠性降低。

STM32芯片使用的也是CMOS逻辑电路，我使用的芯片F7主频已经到了216MHz，跟最初使用的f1的主频72MHz相比，增大到了3倍。

STM32F1据说是：1.8 V电压 在停止模式下，典型功耗为20 μA

STM32F7据说是：1.8 V电压 在停止模式下，典型功耗为100 μA

但是我们在设计时，一般STM32的VDD=3.3V

(3.3/1.8)^2=3.3

所以，可不可以说主频上升3倍，通过VDD的下调，功耗又下降3倍，从而保持功耗不会有大的提升？

可是噪声容限的宽度缩小了多少呢？

ST又是用什么工程方法和加工工艺来解决这个问题呢？

这些就留着后续学习过程中来寻找答案吧。