这一章主要聊聊就从直流压降与热、电容特性、目标阻抗哥电源平面。
一、直流压降与热
直流压降（IR-Drop），IC的容忍值通常在5%～10%，该值包含了电源噪声和直流压降，经验公式两者的比例为2:8，比如一个3V的电源，它的容忍值为5%，那么它的直流压降为3×5%×2/10，电源噪声为3×5%×8/10。这种情况只适合无经验，具体设计还要看数据手册。直流压降是因为电路存在阻抗，存在阻抗就以为功耗，部分功耗会转换为热能向外传输，热量的传递方式有传导、辐射、对流。所以在设计时，针对一些热敏感器件，我们需要关注IC的热性能参数的（Qja、Qjb、Qjc），FR4的导热系数为0.3W/（m.k），铜的导热系数为380W/（m.k）。
二、电容特性
电容可分为电解电容、钽电容、陶瓷电容，其中电解电容、钽电容串联电感较大，适用于低频滤波，陶瓷电容无极性，多用于高频滤波。在高频时需要考虑电容的寄生电阻（ESR）和寄生电感（ESL）的影响，此时电容等效为RLC电路后会在某个频率处谐振，在谐振频率前呈现容性，在谐振频率后呈现感性。在工程设计时，当电容作为去耦电容时，应使其工作在自谐振的两到三倍之前。ESL过大，会使谐振点提前到达，所以应该选择ESL较小用于高频滤波。在实际中，应该更关注ESR，因为ESR存在会使电容两端形成压降，从而降低滤波效果。
三、目标阻抗
目标阻抗是用来评估PDN系统的一种手段。目标阻抗由频率确定，频率越高，也目标阻抗越高。在PDN 络中VRM作用于低频段，通常小于毫欧级别，PCB板上的去耦作用于中频段，更高频的噪声则由片上电容负责。公式Zt=三角形△V/I（电源噪声容限除于器件工作电流，工作电流要保证裕量严格时为0.5Imax，通常只要保保证0.3Imax即可），比如△V=1.8×30%≈54mV，器件工作电流10×30%≈3A，那么Zt≈18毫欧。为了使得PDN阻抗满足目标阻抗要求，可以通过仿真软件进行优化，确定去耦电容的个数和位置。
四、电源平面
电源和地平面最主要的作用是提供供电 络、信号返回路径及一定的高频滤波。两个平面间会形成电容器，且由于存在分布寄生电感，容易形成谐振腔，其具有谐振特性。谐振由物理结构决定，影响因素主要有介电常数、介质厚度、去耦电容等。优化谐振可以通过改变电源和地平面的面积；采用高介参数的介质材料；减少介质厚度等。工程上说电源和地平面要尽量靠近，更多的是减少回路电感。
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